1. Cyanuric acid derivative, resist underlayer composition comprising the cyanuric acid derivative, and pattern forming method using the resist underlayer composition

시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법

2. A composition for a resist underlayer film including a thermal acid generator, a polymer gained from a monomer coupled with a thermal acid generator, a composition for a resist underlayer film including the polymer, and a method for forming a pattern using the composition for the resist underlayer film.

열산발생제 결합 모노머, 상기 열산발생제 결합 모노머로부터 얻어진 중합체, 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

3. Monomer coupled with thermal acid generator, polymer gained from monomer coupled with thermal acid generator, composition for resist underlayer film including polymer, and method for forming pattern using composition for resist underlayer film

열산발생제 결합 모노머, 상기 열산발생제 결합 모노머로부터 얻어진 중합체, 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법

4. The present invention relates to: a cyanuric acid derivative expressed by chemical formula 1; a resist underlayer composition comprising the cyanuric acid derivative; and a pattern forming method using the composition.

화학식 1로 표현되는 시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.